【摘 要】
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本文采用数值模拟方法对4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管终端结构进行优化设计。表面终端采用场板、结终端扩展及场限环复合结构，克服了单一终端结构的弊端。浮结终端区采用
【机 构】
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西安理工大学电子工程系,西安 710046
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文采用数值模拟方法对4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管终端结构进行优化设计。表面终端采用场板、结终端扩展及场限环复合结构，克服了单一终端结构的弊端。浮结终端区采用图形及连续两种结构。正向时，两种结构导通电阻随浮结掺杂浓度增加缓慢增加，图形结构由于终端部分参与导电，导通电阻较低。反向时，图形终端结构电场分布不随浮结层掺杂浓度变化，在浮结层浓度为1.5×l01-cm-3时达到最大值1055V。连续终端结构电场最大值随浮结层掺杂浓度的升高由表面向浮结终端底部变化，击穿电压对浮结层浓度的变化较为敏感，最大值1240V出现在浮结层浓度为8×1016cm-3时。
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