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该文研究了MOCVD法ZnSe∶N单晶薄膜的生长掺杂条件，及其发射光谱，电学参数等光电特性随生长掺杂条件的变化。证实氮在ZnSe中形成激活能～110mev的浅受主能级。这是为获得P型硒化锌进行的一个尝试。（本刊录）
MOCVD法生长的掺氮ZnSe的光电特性
【摘 要】
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该文研究了MOCVD法ZnSe∶N单晶薄膜的生长掺杂条件，及其发射光谱，电学参数等光电特性随生长掺杂条件的变化。证实氮在ZnSe中形成激活能～110mev的浅受主能级。这是为获得P型硒化
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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第四届全国发光学术会议
【发表日期】
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1986年期
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