【摘 要】
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文章首先论述了宽禁带三代半导体材料器件的优势和发展现状,并对功率放大器设计技术进行了梳理。基于星载应用,例举了基于GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor)的10W F类功率放大器、10W连续模类功率放大器、100WAB类功率放大器、20W平衡式功率放大器和30W Doherty功率放大器,分别应用在窄带高效、宽带、大功率、合成和功率回退时的效率提升,
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文章首先论述了宽禁带三代半导体材料器件的优势和发展现状,并对功率放大器设计技术进行了梳理。基于星载应用,例举了基于GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor)的10W F类功率放大器、10W连续模类功率放大器、100WAB类功率放大器、20W平衡式功率放大器和30W Doherty功率放大器,分别应用在窄带高效、宽带、大功率、合成和功率回退时的效率提升,均获得了非常优良的测试性能。并对GaN高效功率放大器在推广使用中的几个问题进行了简单的探讨。
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