【摘 要】
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本研究尝试于柔性塑料基板上,进行300℃铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZ0)薄膜晶体管阵列与电泳显示模组制作,制备一柔性电泳显示器:此柔性显示结构为:1000(A) SiNx+1000(A) SiOx双层缓冲层/1000(A) Mo+500(A) IT0栅电极层/3000(A)Si0x栅绝缘层/1000(A) IGZ0主动层/2000(A) Si0x刻蚀阻挡
【机 构】
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天马微电子集团,上海浦东新区汇庆路889号 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
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本研究尝试于柔性塑料基板上,进行300℃铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZ0)薄膜晶体管阵列与电泳显示模组制作,制备一柔性电泳显示器:此柔性显示结构为:1000(A) SiNx+1000(A) SiOx双层缓冲层/1000(A) Mo+500(A) IT0栅电极层/3000(A)Si0x栅绝缘层/1000(A) IGZ0主动层/2000(A) Si0x刻蚀阻挡层/1000(A) Mo+500(A) IT0源漏电极层/2000(A) Si0x钝化层/1000(A) ITO像素电极层.研究结果成功展示一可挠曲柔性电泳显示器,其柔性基板上之薄膜晶体管器件特性可达到与玻璃基板上之器件特生水准,证明了柔性显示产品制作之可行生.
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本文设计并研制了一种单色透射式硅基液晶微显示器,详细论述了透射式硅基液晶微显示器的整个研制工艺流程.为实现透射式结构,驱动背板芯片采用SOI CMOS工艺设计流片;使用两次键合的工艺完成了驱动背板芯片硅外延层的剥离和转移,掌握了实现透明背板的关键技术.在此基础上,完成了SXGA单色透射式硅基液晶微显示器的试制.
简介现有透明投影屏幕技术,叙述散射偏光片透明投影屏幕专利新技术原理和应用设想,实验表明,散射偏光片存在透光轴,与单片液晶投影机或单片硅上液晶投影机配套,投影光偏振方向与透光轴正交,没有透射光浪费,发生全散射,背投成像超清晰,散射偏光片与反射偏光片组合在一起,又是透明正投影屏幕新技术.
透明有机电致发光器件(TOLEDs)被认为是最具发展前景的显示技术之一,有广泛的应用.本文简单介绍了透明显示的原理及优势,详细介绍了4.8inch透过率为45%的AMOLED透明显示的制备方法,并对其性能进行了研究.通过对像素进行的整合设计,尽量的扩大透明区域,调配镁银合金的掺杂比进行透明阴极的优化,提高阴极的透过率,同时对工艺进行改进,刻蚀去掉透明区域的PDL及PLN层,提高子像素中透明区域的透
介绍一种MICROOLED公司OLED微显示器的驱动控制电路,重点研究其驱动控制和亮度调节方式.根据与一种用于近眼显示图像源的高温多晶硅液晶微显示器的参数对比,确定该OLED微显示器可用作近眼显示图像源.
为了实现对OLED RGB三色色坐标的稳定控制并进行制程上的管控,本文进行了色坐标与光谱峰值、半高宽、对称性关系的分析,例如通过对R光谱的模拟分析,发现:保持半高宽和对称性不变的情况下,光谱峰值较大越优;保持峰值波长和对称性不变的情况下,半高宽越小越优;相同的色度目标要求大的I峰值波长对应宽的半高宽,小的峰值波长对应窄的半高宽;同样峰值,同样半高宽,右半高宽/左半高宽>1时的红色色坐标更优.本文同
本文引入了一种新型的OLED液体封装材料(Fill,Ole-Dry-F2),并与传统的UV胶封装(Dam Only封装)结合成为Dam&Fill封装方式,同时使之与Dam only封装方式比较,发现Dam&Fill封装方式具有较好的抗黑点生成长大能力和阻止画素收缩能力,同时,Dam&Fill封装器件的寿命略优于Dam only器件,这对于提高AMOLED封装效果意义重大.
论文使用脉冲腐蚀和恒流腐蚀制备了两种不同结构的多孔硅,通过采用正负极对调并加恒定电流若干时间的阴极还原方法,研究了阴极还原对多孔硅电子源发射特性的影响.实验结果表明,阴极还原通过钝化多孔硅的高活性表面,消除了悬挂键与缺陷,改善了电子源的发射特性.采用阴极还原处理后,无论是恒流腐蚀还是脉冲腐蚀,多孔硅电子源的发射效率和发射电流均显著提高,电子发射的重复性与稳定性也有明显改善.脉冲腐蚀的多孔硅电子源最
本论文探讨了不同铟镓锌氧化物半导体(IGZO)界面对氧化物半导体电特性的影响,并对其中界面较好有好的电特性的器件进行了信赖性测试.结果表明以SiOx-2为栅绝缘层(GI),IGZO沉积功率为6KW,600A制成的半导体层的器件具有较好的电特性及稳定性,Vth为0.67V,载流S.S为0.17V/dec,Ion/Ioff大于108,符合驱动器件的要求.且在5000s,80℃,+/-1OV的条件下,S
本文研究了LDD结构低温多晶硅(LTPS)CMOS的薄膜晶体管的相关制程,其经过准分子激光退火之后的多晶硅的晶粒大小约为0.30um.分析了NTFT的迁移率和漏电流,在不同的低掺杂漏极(LDD)离子植入条件下的变化关系.并测试得到薄膜晶体管的主要的参数,其阈值电压(Vth),迁移率(mobility),亚阈值摆幅(SS)均达到量产水平.展示了采用此工艺制备的LTPS基板的5.5英寸AMOLED单色