【摘 要】
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本文通过对SiC基GaN晶体的禁带宽度Eg、不同光谱的吸收率和温度之间的关系分析、试验、研究,应用MATLAB软件仿真、拟合了SiC和GaN宽禁带本征晶体的温度与光谱吸收率关系.
【机 构】
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Weihai Vocational College,Weihai 264210,China
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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本文通过对SiC基GaN晶体的禁带宽度Eg、不同光谱的吸收率和温度之间的关系分析、试验、研究,应用MATLAB软件仿真、拟合了SiC和GaN宽禁带本征晶体的温度与光谱吸收率关系.据此,设计了一种快速反应的动态高温测试试验装置,分别进行了静态(0～500℃)和动态(25～250℃)试验测试,通过对HELLER-1800回流焊设备进行无铅焊接温度曲线对比测试,重复测试精度0.2℃,平均相对误差为0.12℃.
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