InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Monalisacode

【摘要】

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通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ2"InP基HBT和φ4

【作者】

：

齐鸣徐安怀艾立鹍孙浩朱福英

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

【出处】

：

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2006年期

【关键词】

：

含磷化合物外延材料生长工艺结构设计材料研制外延技术双异质结器件重掺杂优化性能特色切换面具电路单位

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通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ2"InP基HBT和φ4"InGaP/GaAs HBT外延材科.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平.

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