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随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展,铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要。新技术和新工艺的引入,使得Cu互连的可靠性问题出现了新的特征,给器件失效分析时带来了新的挑战。本文讨论了与铜/低k技术有关的失效模式,及与铜互连结构特点相对应的失效分析技术。
铜—低k集成技术的失效模式及失效分析
【摘 要】
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随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展,铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要。新技术和新工艺的引入,使得Cu互连的可靠性问题出现了新的特征,给器件失效分析时带来了
【机 构】
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信息产业部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州 510610 华南理工大学 电子与信息学院微电子研究所广州 510640
【出 处】
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中国电子学会第十四届青年学术年会
【发表日期】
：
2008年期
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