【摘 要】
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一种用光学显微镜在生长基底(Cu箔)上看到石墨烯的方法被发现。具体是由于裸露Cu表面可以被氧化变色，而当Cu被石墨烯覆盖时可以避免被氧化，[1] 用这种部分热氧化的原理可以
【机 构】
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北京大学纳米化学研究中心,化学与分子工程学院,北京市海淀区成府路202号,100871
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一种用光学显微镜在生长基底(Cu箔)上看到石墨烯的方法被发现。具体是由于裸露Cu表面可以被氧化变色，而当Cu被石墨烯覆盖时可以避免被氧化，[1] 用这种部分热氧化的原理可以看到石墨烯在Cu箔上的生长情况。用这种方法我们研究了石墨烯在Cu箔基底上的成核生长情况。并且通过条件优化，我们在化学抛光的Cu箔上得到了尺寸大于100 μm的石墨烯大单晶。由于这种方法可以很方便的在大范围内研究石墨烯在Cu箔上的生长情况，在大尺度上石墨烯沿碳源方向的不均匀生长被发现。更进一步通过用双氧水等氧化性溶液处理，石墨烯的超快速液相显影技术被开发。这种简单快捷研究石墨烯生长的方法，在石墨烯质量监测等领域有着广泛的应用前景。[2]
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