气态源MBE外延生长室温连续激射Ge基InAs/GaAs量子点激光器

来源 :第十一届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：anonyjim

【摘要】

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　　Ⅲ-Ⅴ族直接带隙化合物半导体具有非常优越的光学性能，将其与Si衬底集成是实现IC电路光互联的理想途径[1].Ge由于其与Si材料的无限互溶以及与Ⅲ-Ⅴ族GaAs化合物半导体材料

【作者】

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王朋[1]龚谦[1]曹春芳[1]王亚楠[1]李耀耀[1]王庶民[2]

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室

【出处】

：

第十一届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2015年期

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　　Ⅲ-Ⅴ族直接带隙化合物半导体具有非常优越的光学性能，将其与Si衬底集成是实现IC电路光互联的理想途径[1].Ge由于其与Si材料的无限互溶以及与Ⅲ-Ⅴ族GaAs化合物半导体材料的匹配条件，成为Si基光电集成的有效过渡衬底[2].利用GeSi缓冲层将较为成熟的GaAs基InAs量子点激光器结构与Si衬底结合是实现Si基通信波段激光器的有效途径[3-4].Ge衬底上外延生长GaAs是本工作的关键点.伦敦大学学院和加州大学利用固态源分子束外延(SS-MBE)技术在Ge-on-Si衬底上实现了InAs量子点激光器的室温连续激射[3-4].而在相关方向气态源分子束外延(GS-MBE)技术的研究工作还比较欠缺.

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