论文部分内容阅读
本文首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He2+,N+离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Hall法测量电阻率,发现GaN的电阻率增大6-8个数量级.在200-400℃左右退火,电阻率变化最大.