GaN的离子辐照效应

来源 :2001年超精细相互作用与核固体物理研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong579

【摘要】

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本文首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He2+,N+离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,

【作者】

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周生强姚淑德焦升贤孙长春孙昌

【机构】

：

北京大学,技术物理系北京大学,技术物理系;北京大学,重离子物理研究所

【出处】

：

2001年超精细相互作用与核固体物理研讨会

【发表日期】

：

2001年2期

【关键词】

：

GaN 电阻率离子注入辐照损伤 Hall法

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本文首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He2+,N+离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Hall法测量电阻率,发现GaN的电阻率增大6-8个数量级.在200-400℃左右退火,电阻率变化最大.

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