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该文介绍了ＭＢＥ生长实验中ＧａＡｓ，Ａｌ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ材料出现的几种形貌特征，并分析了它们产生的原因。
MBE方法生长GaAs、Al<,x>Ga<,1-x>As材料的形貌分析
【摘 要】
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该文介绍了ＭＢＥ生长实验中ＧａＡｓ，Ａｌ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ材料出现的几种形貌特征，并分析了它们产生的原因。
【机 构】
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科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)
【出 处】
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第五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1996年期
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ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）材料近年来的在国内外得到广泛的研究，ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路离实际应用已为期不远，作者利用离子注入制备出ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｏｆ Ｏｘｙｇｅｎ）薄膜材料，并用背散射（ＲＢＳ），扩展电阻（ＳＲ）和红外吸收（ＩＲ）等，对ＳＩＭＯＸ薄膜进行了测试。
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