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纳米液晶取向膜
【机 构】
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香港科技大学电机及电子工程学系
【出 处】
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中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
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2011年9期
其他文献
铁电薄膜场效应晶体管具有非破坏性读出、存储密度高、读写速度快、抗辐射性好等突出优点,是信息高新技术的前沿和热点之一.保持性能失效是铁电场效应晶体管 (FeFET)面临的关键问题,应变和温度是影响FeFET 保持性能失效的重要因素.
近年来,由于在众多氧化物中发现的电致电阻变换效应在高性能的非挥发性阻变存储器中具有潜在的应用而受到广大科学研究者的重视,相比于其他类型的存储器,阻变式非挥发性存储器具有结构简单、读写速度快、高密度、低功耗等突出优点.
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LCOS 结构是在硅片上利用半导体工艺制作驱动板形成CMOS 基板,再将CMOS 基板与涂有透明电极的上玻璃基板通过清洗,涂覆取向层,摩擦,丝印,成盒,切割,注入液晶,进行封装而成,最后通过输入信号达到显示动态画面的效果.
会议
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