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本文着重于讨论非挥发存储器的性能模拟和研究,尤其是电荷俘获层的缺陷态的分布、高K材料的应用和BE-SONOS新结构对非挥发存储器的......
学位
近些年来，由铁电场效应晶体管构成存储单元的铁电存储器，由于具有结构简单、非破坏性读出、不易挥发、功耗低、可多次反复读写、可高......
