【摘 要】
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本文采用分子动力学模拟方法研究了入射角度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响。 由模拟结果可知,入射角度对样品原子溅射影响很大。随着入射角度的增加,Si和C原子的溅射
【机 构】
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四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064
【出 处】
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2010全国荷电粒子源、粒子束学术会议
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本文采用分子动力学模拟方法研究了入射角度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响。
由模拟结果可知,入射角度对样品原子溅射影响很大。随着入射角度的增加,Si和C原子的溅射量先增加后减小。而且相同入射角度下,Si原子溅射阈值比C原子小,Si原子的溅射量大于C原子的溅射量。初始样品在Ar+以不同角度轰击2000次后的形貌各异。产物中主要以Si和C原子为主,有少量的Si类和C类产物。入射角度对产物Si原子的角度分布影响不是很大,而对产物C原子的角度分布有较小的影响。入射角度对产物Si和C原子的能量分布影响较小,大多原子集中在0至20ev范围内。
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