【摘 要】
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本文通过两步固相法合成了一系列荧光粉CaMGa3S6O：Ce3+/Tb3+(M=La,Gd,Lu).研究讨论了其激发发射光谱,寿命及浓度效应.实验结果表明：1.荧光粉CaLaGa3S6O：Ce3+,Tb3+在400 nm具
【机 构】
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中山大学化学与化学工程学院 教育部生物无机与合成化学重点实验室国家光电子材料与技术重点实验室,广东广州510275
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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本文通过两步固相法合成了一系列荧光粉CaMGa3S6O：Ce3+/Tb3+(M=La,Gd,Lu).研究讨论了其激发发射光谱,寿命及浓度效应.实验结果表明：1.荧光粉CaLaGa3S6O：Ce3+,Tb3+在400 nm具有较强的吸收,与近紫外GaN芯片能很好的匹配；在400 nm光的激发下,得到分别源自于Ce3+和Tb3+离子的蓝光及绿光发射.结果证实,在近紫外区域(380-420 nm)具有较低的4f-4f吸收效率的Tb3+离子,通过Ce3+离子的敏化,可以用作应用于近紫外氮化镓基发光二极管方面绿光发射荧光粉的重要激活离子.2.通过更小离子半径的Gd3+和Lu3+对荧光粉CaLaGa3S6O：Ce3+中La3+的取代,增强了晶体场强度,使得Ce3+的主激发峰位移至420 nm,主发射峰位移至466 nm.
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