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在当前硅材料的直径、电阻率及其径向分布均匀性的最高水平基础上，提出运用以表面反型为判据的低浓度掺杂分布、电压片厚比、长基区临界薄、P型径向变掺杂等措施设计制造具有最大电流、最高电压参数组合的晶闸管。将特高电压与大电流及其它动静态参数的协调精度与挖潜深度的水平提高。同时对结终端与欧姆接触技术相兼容的两种典型结构进行了研制及关键参数分析对比。