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超大规模集成电路工艺集成度的不断提高，要求栅介质的厚度越来越薄.由栅氧化层的隧穿效应而产生的漏电流等静态功耗随之成指数形式增长，传统硅集成电路工艺中的SiO2栅介质日益趋于极限，迫切需要寻找新的高k栅介质来取代SiO2.
采用漏电流输运机制研究Al(Pt)/Tm2O3/Si的能带结构
【摘 要】
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超大规模集成电路工艺集成度的不断提高，要求栅介质的厚度越来越薄.由栅氧化层的隧穿效应而产生的漏电流等静态功耗随之成指数形式增长，传统硅集成电路工艺中的SiO2栅介质日益趋于极限，迫切需要寻找新的高k栅介质来取代SiO2.
【机 构】
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绍兴文理学院 数理信息学院
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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