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该文通过分离变量法求解全耗尽ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ的沟道区所满足的二维泊松方程建立了适用于深亚微米器件的阈电压的解析模型。在此基础上，根据该模型，结合采用数值分析方法的器件模拟软件ＭＥＤＩＣＩ及有关的实验数据，对器件的短沟效应进行了研究。
深亚微米全耗尽SOI MOSFET的短沟效应的研究
【摘 要】
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该文通过分离变量法求解全耗尽ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ的沟道区所满足的二维泊松方程建立了适用于深亚微米器件的阈电压的解析模型。在此基础上，根据该模型，结合采用数值分析方法的器件模拟软件ＭＥＤＩＣＩ及有
【机 构】
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大学微电子学研究所(北京)
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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