沟道电流相关论文
本文在对4H-SiCMESFET器件工作机理分析研究的基础上,提出了一种适合射频大功率器件的Ids(Vgs,Vds)模型,并针对两种不同结构尺寸的......
提出一个经验的GaAs HEMT 大信号等效电路模型,沟道电流及偏置相关的本征电容模型方程高阶连续可导。模型考虑了自热效应引起的热......
SOI技术已走向成熟,进入实际应用阶段.但由于低热传导率的SiO绝缘氧化埋层所造成的自加热效应导致器件的沟道电流下降和负差分电阻......
该文在国际上首次提出了一种RLIGBT器件新结构,分析指出了它较传统LIGBT在工作电流、开关速度和抗闭锁能力等方面的优点。由实验证明了RLIGBT与传统LIGBT工......
采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间......
以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保......
通过测试不同旁栅电压条件下的MESFET沟道电流的低频振荡现象,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡,并从理......
采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对......
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索......
在对H+-ISFET传感器基本结构和工作原理分析的基础上,采用PSPICE仿真的方法讨论了传感器在不同pH值、不同沟道尺寸、不同温度等情......
本文对场效应管所用材料的隔离层,δ调制掺杂层,势垒耗尽层等材料结构尺寸,异质结界面的二维电子气浓度,场效应管的夹断电压、沟道电流......
<正> 可靠性工作不仅是评价器件的可靠性水平,更重要的是改进可靠性。因此,对失效器件必须进行详细的分析,找出失效原因,反映给器......
本文分析浮置扩散放大器(Floating Diffusion Amplifier)输出复位管的两种工作状态及其产生复位失真的原因,并导出了确定复位脉宽......
<正>本文研究了高压VDMOS物理模型的发展过程,详细比较了不同高压VD-MOS物理模型的优缺点。可以看出,在高压VDMOS物理模型中,对于......
虽然数字开关技术在固体电路发展的今天显得占优势,而在模拟开关方面也有很大的进展。毫微秒范围的速度,十万分之一以内的讯号精度......