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在晶粒间界缺陷态的场致发射理论的基础上，考虑了多晶硅ＴＦＴ关态时的寄生双极晶体管效应，提出了一个简单的物理模型，得到了关态电流与栅压、漏压、温度及沟道长度、宽度等的依赖关系，在晶粒间界缺陷态的场致发射理论的基础上较为全面地描述了多晶硅ＦＴＦ的特性。
多晶硅TFT关态时的寄生双极晶体管效应
【摘 要】
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在晶粒间界缺陷态的场致发射理论的基础上，考虑了多晶硅ＴＦＴ关态时的寄生双极晶体管效应，提出了一个简单的物理模型，得到了关态电流与栅压、漏压、温度及沟道长度、宽度等的依赖关系
【机 构】
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大学微电子所
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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