体硅材料相关论文
本文首先对Si注入在SIMOX的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述.接头号,对纳米硅在绝缘埋层中的俘获电......
纳米硅量子点由于具有与体硅材料不同的独特物理性质,使其在未来的光电器件,包括在硅基发光与硅基光伏器件等方面都有很好的应用前景......
随着纳米技术的发展,在信息领域中重要的半导体硅材料已被研制成具有纳米结构的薄膜材料,称之为纳米硅薄膜(nc-Si:H)。经过近二十年的......
为了研究高能中子在硅材料中产生电离效应的情况,采用蒙卡方法研究了14Mev核爆高能中子和电子器件内部半导体硅材料的作用机理,由......
该论文论述了集成电路工艺,MOS技术,双极技术,集成电路设计,IC CAD技术,半导体硅材料,集成电路和材料的分析与测试技术,电力电子器件,GaAs集成电路,半导......
综述了国际半导体硅材料近年来的发展状况及未来的发展方向,同时叙述了半导体工业对硅材料的要求及多晶硅的状况。......
与体硅材料和器件比较,SOI具有许多独特的优越性,例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等。因而被称为21世纪的微电子技术而引起人......
SOI(silicon-on-insulator)是在体硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的一种新型材料,是一种具有独特优势、能突破体硅材料与......
中国科学技术大学基于应用广泛的半导体硅材料,采用金属纳米结构的热电子注入方法,设计出一种可在近红外区域进行光电转换且具有力学......
林州市中升半导体硅材料有限公司是一家新兴的现代化企业,从2008年元月投入生产以来,生产、销售形势良好。公司员工在董事长桑中生......
稀土材料、半导体硅材料、稀有金属材料具有高技术含量高附加值 ,广阔的应用领域和良好的发展前景。为了加快这类高新技术材料的发......
瞄准国际水平 ,积极开展技术创新是上海硅材料厂发展半导体硅材料的思路和原则。去年 ,上海硅材料厂将近年自行开发成功的硅片背面......