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采用单温区法合成了CdGeAs2多晶料，单批量合成质量达到200g.经XRD和TG-DTA检测，多晶料的结晶性和热稳定性良好，适合作CdGeAs2晶体生长的原料.采用双温区透明小角度倾斜温梯冷凝法生长了CdGeAs2晶体，尺寸达到Φ20mm×80mm.
砷化锗镉晶体的生长及电子结构研究
【摘 要】
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采用单温区法合成了CdGeAs2多晶料，单批量合成质量达到200g.经XRD和TG-DTA检测，多晶料的结晶性和热稳定性良好，适合作CdGeAs2晶体生长的原料.采用双温区透明小角度倾斜温梯
【机 构】
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哈尔滨工业大学
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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