【摘 要】
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用X 射线衍射(XRD)研究了Gd5Sb2SiGe 合金的晶体结构.用超导量子磁强计(SQUID)测定了样品的M-T 曲线和不同温度下的M-H 曲线.对晶体的结构分析结果表明：Gd5Sb2SiGe 合金在室温下为Sm5Ge4 型正交相结构.对样品的磁性能分析结果表明：降温过程中发生顺磁-反铁磁和反铁磁-铁磁两个二级磁相变，在2T 磁场下最大磁熵变为2.4J/(kg·K).
【机 构】
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东北大学 材料电磁过程研究教育部重点实验室,辽宁沈阳 110004 西安交通大学理学院 材料物理系
【出 处】
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第十四届全国青年材料科学技术研讨会
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用X 射线衍射(XRD)研究了Gd5Sb2SiGe 合金的晶体结构.用超导量子磁强计(SQUID)测定了样品的M-T 曲线和不同温度下的M-H 曲线.对晶体的结构分析结果表明：Gd5Sb2SiGe 合金在室温下为Sm5Ge4 型正交相结构.对样品的磁性能分析结果表明：降温过程中发生顺磁-反铁磁和反铁磁-铁磁两个二级磁相变，在2T 磁场下最大磁熵变为2.4J/(kg·K).
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