【摘 要】
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对张应变的Si基外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性以及NiGe与外延Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试，表明张应变外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性比N型c-Ge上NiGe薄膜的
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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对张应变的Si基外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性以及NiGe与外延Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试，表明张应变外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性比N型c-Ge上NiGe薄膜的热稳定性提高了100℃，可能的原因是NiGe薄膜与张应变的外延Ge之间的晶格失配较小，NiGe薄膜所受到的应力较小.I-V测试结果表明，NiGe与外延Ge接触反向漏电流较大，器件整流比较小，势垒高度比NiGe/c-Ge的势垒高度小。因此，要使NiGe更好地应用于外延Ge基的肖特基势垒源漏的MOSFET中，还需要进一步提高外延Ge质量。
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