【摘 要】
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ZnGeP2晶体在生长过程中,由于化学成分的偏离以及蒸汽压的控制问题,而产生大量的点缺陷.这些点缺陷包括Zn空位,P空位,Gezn反位等.点缺陷的存在会严重影响晶体在2μm附近的光
【机 构】
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中国工程物理研究院化工材料研究所,四川省新材料研究中心,四川绵阳621999;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,四川绵阳621999
【出 处】
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中物院高能激光科学与技术重点实验室第三届学术交流会
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ZnGeP2晶体在生长过程中,由于化学成分的偏离以及蒸汽压的控制问题,而产生大量的点缺陷.这些点缺陷包括Zn空位,P空位,Gezn反位等.点缺陷的存在会严重影响晶体在2μm附近的光学透明性,使晶体不能应用于OPO器件的制备.目前主要通过电子顺磁共振、电子-核双共振等方式对晶体的点缺陷进行研究,并通过理论计算模拟研究晶体中点缺陷,其缺陷能级的计算值与实验现象基本一致.通常可以采用高温热退火、高能电子束辐照、γ射线辐照、激光退火等方式对晶体进行处理,使内部点缺陷加以改善,以提高晶体在2μm附近的透过率,提升晶体品质.
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