【摘 要】
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碳化硅(SiC)晶体作为第三代半导体材料,由于其具有宽禁带、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率等优秀的物理性能和电学性能1,在制备高温、高频、大功率以及抗辐射
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碳化硅(SiC)晶体作为第三代半导体材料,由于其具有宽禁带、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率等优秀的物理性能和电学性能1,在制备高温、高频、大功率以及抗辐射器件领域具有广阔的应用前景2。目前比较成的碳化硅晶体生长方法是物理气象传输法(Physical Vapor Transport,PVT),使用PVT法已经可以制备出6H、4H和15R的碳化硅单晶,其中6H和4H的单晶已经可以实现商品化3。近年来,科研工作者在改进PVT生长方法上做了大量工作,大大提高了SiC晶体的质量,但是生长出的晶体中仍然会存在各种各样的缺陷。为了减少SiC晶体中的缺陷,消除应力,对SiC晶体进行退火,研究退火处理对SiC晶体的影响是非常必要的。
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