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本文利用仿真软件对6500V FS-IGBT的传统结构和T型栅结构进行了电特性仿真,通过对器件静态和动态特性的研究发现:T型栅结构随着薄氧化层L1的增大,器件的正向压降增大,器件的关断延迟时间降低,采用合适的L1值,得到了优化的T型栅结构.
6500V FS-IGBT的栅电容设计与特性分析
【摘 要】
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本文利用仿真软件对6500V FS-IGBT的传统结构和T型栅结构进行了电特性仿真,通过对器件静态和动态特性的研究发现:T型栅结构随着薄氧化层L1的增大,器件的正向压降增大,器件的关断延迟时间降低,采用合适的L1值,得到了优化的T型栅结构.
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都610054;东莞电子科技大学电子信息工程研究院 广东东莞523000
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会
【发表日期】
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2012年4期
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