【摘 要】
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本文制作的是平面结聚光硅太阳电池,它的应用光强为十个太阳.采用的是0.5~1Ω·cm的p型〈100〉电池片.因为此聚光电池是用在特殊场合,考虑到栅线的横截比、周长以及沟槽的形貌对于电池的性能有着极大的影响,所以设计了特殊的栅线结构.选用的硅片尺寸为25cm×98cm.主栅长97.5mm、宽2mm,栅线间距是0.06mm.细栅长22.6mm,间距是0.5mm.通过改变激光机的频率、电流以及速度,利用
【机 构】
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北京市太阳能研究所有限公司,北京,100083
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本文制作的是平面结聚光硅太阳电池,它的应用光强为十个太阳.采用的是0.5~1Ω·cm的p型〈100〉电池片.因为此聚光电池是用在特殊场合,考虑到栅线的横截比、周长以及沟槽的形貌对于电池的性能有着极大的影响,所以设计了特殊的栅线结构.选用的硅片尺寸为25cm×98cm.主栅长97.5mm、宽2mm,栅线间距是0.06mm.细栅长22.6mm,间距是0.5mm.通过改变激光机的频率、电流以及速度,利用显微镜观察、比对各种沟槽的表面形貌以及沟槽的宽度、深度.选择合适的条件(沟槽深为45μm,宽为45μm)刻出表面平整且适合化学镀的沟槽.严格的控制反应的时间和反应的温度,使得沉积的金属(Ni-Cu-Ag)致密、均匀.
其他文献
利用近空间升华法在Ar+O2气氛下沉积了CdTe多晶薄膜,并在气相CdCl2氛围下进行了不同温度的后处理,对样品进行了厚度、XRD、SEM、σ-T等性能测试,结果表明:退火后CdTe多晶薄膜在(111)面上仍具有择优取向,退火能使晶界钝化,增加再结晶并促进晶粒长大;退火后,暗电导(σdark)增加,电导激活能(Ea)减少.
本文分别对CdTe薄膜太阳电池的背电极面和玻璃面进行电子辐照,在辐照前后对电池的光I-V特性,暗I-V特性及C-V特性进行研究分析.
用热壁外延的方法,在清洁的玻璃衬底上外延生长了不同厚度的CdTe薄膜,对其结构和薄膜的本征吸收光学特性进行了测量分析研究.XRD测试显示薄膜为多晶,具有标准的立方结构,沿(111)方向有明显的择优取向.品格常数的计算值为6.49(A),与标准值符合较好.用Cary5000型双光束分光光度计测试了样品薄膜的反射谱和透射谱,并对玻璃衬底的样品模式:空气-CdTe薄膜-玻璃-空气系统经光照的反射、吸收和
本文第一次报道了用热壁外延的方法在Si(100)衬底上异质外延得到了镜面状的CdTe(100)单晶薄膜,薄膜与衬底有非常好的附着强度.用SEM、AFM和XRD技术分析了薄膜的表面和断面形貌及结构特征,SEM显示薄膜表面平整,断面显示薄膜在生长中期发生了变化,由多晶层向单晶层转变.AFM给出了CdTe(111)和CdTe(100)的形貌比较.XRD显示薄膜沿(400)晶向高度择优取向,有Te的一个弱
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池由于具有高的光电转换效率、低的制造成本以及稳定的光电性能而成为国际光伏界研究的热点.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,铂网电极为辅助电极的三电极体系,利用恒电位电沉积技术在镀钼的钠钙玻璃衬底上制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,深入研究了络合剂柠檬酸浓度对所制备Cu(In,Ga)Se2薄膜的组分、晶相结构、表面形貌和
本文借鉴现有太阳电池测试标准,针对DSCs与硅太阳电池的区别,探讨了在DSCs性能测试时可能产生的问题.并在DSCs测试系统的设计中对这些问题在软件和硬件上给予了相应的解决.在此基础上建立了一套采集过程完全由软件控制,可采集64路通道,同时自动计算出电池的最大输出功率、填充因子、电池效率以及环境温度、测试光源的光强等各项参数,满足DSCs的伏安特性测试系统.
用共蒸发法制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,采用XRD(X射线衍射)、AFM(原子力显微镜)及XPS(X射线光电子能谱)等表征手段分析了薄膜结构、形貌、组分及Cu在ZnTe中的存在状态,并比较了它们在退火前后的变化.结果表明,刚沉积的薄膜为高度(111)择优的立方相结构;退火后膜变得均匀、致密,并出现六方相.XPS分析发现膜面呈现富Te现象,且富余的Te主要以氧化物和CuxTe相的形式存在.
采用Cu、In、Ga、Se一步共蒸发法低温制备CIGS薄膜.XRD分析表明一步共蒸发法制备的CIGS薄膜基本消除了(In,Ga)2Se3相.霍耳效应分析表明薄膜在不产生CuSe时,载流子浓度小于1016/cm3.将该工艺应用于聚酰亚胺衬底,制备的n-ZnO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo结构的太阳电池转换效率达到5.88﹪.
本文研究了磁控溅射的CuInGaSe2薄膜在CuCl2和InCl3溶液中浸泡10分钟后,进行快速热退火(RapidThermalProcess,RTP)对薄膜电学性能的影响.结果表明,In离子的掺入,产生了施主In,从而产生电子与P型的CuInGaSe2薄膜中的空穴复合,降低了载流子浓度,但是在适当的条件下提高了载流子迁移率.Cu离子的掺入,产生了Cu受主,从而产生了更多的空穴提高了CuInGaS
本文首次采用四氢喹啉为供电子母体、氰基乙酸为吸电子基团和吸附基团,并引入不同的噻吩桥链得到4个电子推拉型的纯有机染料敏化剂.在100mW/cm2的光强下,以染料3为敏化剂的太阳能电池的最大光电转化效率为3.84﹪,相同条件下,N3染料为敏化剂的太阳能电池的光电转化效率为6.40﹪.通过研究发现,引入噻吩乙烯或者噻吩桥链可以显著的改变染料的光吸收特性和电子传输特性.当引入多个噻吩乙烯或者噻吩结构后,