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本文研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压PMOS器件.首先利用SynopsysTCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μmN阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-138V,栅压-100V时驱动能力达17mA(宽长比=50),可以在100V电压下安全工作.