【摘 要】
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制作了一种新型的结合了AIGaN材料结构和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)热释电材料的日盲紫外探测器.当紫外光从AIGaN一侧背照射至器件上时,测量PVDF两端的热释电响应
【机 构】
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中科院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海 200083
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制作了一种新型的结合了AIGaN材料结构和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)热释电材料的日盲紫外探测器.当紫外光从AIGaN一侧背照射至器件上时,测量PVDF两端的热释电响应光谱,测得峰值响应在入射光波长为260nm处,响应电压高达129.6mV(此时辐射功率为39.8nW).器件响应机理为：紫外光被i-Al0.35Ga0.65层吸收,产生光生载流子并复合生热,热量通过AIGaN材料传导给PVDF结构的电极,温度升高,PVDF对温度变化产生响应.为了进一步验证,制作了对比器件,即在AIGaN结构和PVDF结构之间加了一层多孔SiO2隔热层,测得的响应光谱中有两个峰值,一个在260 nm,另外一个在300 nm.与参考器件相比,在260 nm处的响应电压大大减小,说明了利用热探测的可行性.另外,测量了不同频率下的器件响应并对其进行理论拟合,深入研究300 nm处的响应机理.
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