【摘 要】
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BBr3源进行硼扩散过程中通常会在硅片表面形成一层富硼层,富硼层的存在会使硅片载流子的寿命急剧降低.本文阐述了富硼层产生的原因,介绍了三种常用的去除富硼层的方法:直接氧化法、化学腐蚀法和氢氟酸-低温热氧化-氢氟酸法(HF-LTO-HF).并设计了一种HF/HNO3体系刻蚀去除富硼层的方法,通过ECV测试表征富硼层的去除情况,去除富硼层后得到的样品方块电阻均匀性有所提高,但反射率也有所提高,通过PE
【机 构】
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中山大学太阳能系统研究所,广东省光伏技术重点实验室,广州510006
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BBr3源进行硼扩散过程中通常会在硅片表面形成一层富硼层,富硼层的存在会使硅片载流子的寿命急剧降低.本文阐述了富硼层产生的原因,介绍了三种常用的去除富硼层的方法:直接氧化法、化学腐蚀法和氢氟酸-低温热氧化-氢氟酸法(HF-LTO-HF).并设计了一种HF/HNO3体系刻蚀去除富硼层的方法,通过ECV测试表征富硼层的去除情况,去除富硼层后得到的样品方块电阻均匀性有所提高,但反射率也有所提高,通过PECVD镀减反膜后反射率的影响很小.
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