外延于SrTiO3衬底上的单层FeSe薄膜的超导电性研究

来源 :中国化学会第29届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:depewguy
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  我们利用分子束外延生长技术在SrTiO3(001)衬底上制备了单位原胞厚度的超导FeSe薄膜,并采用多种实验技术研究了该体系的超导电性.原位的扫描隧道显微镜/谱测量表明,该FeSe薄膜具有20 meV左右的超导能隙,是体相FeSe超导能隙的8倍多.非原位的输运测量表明,该体系的电阻从54.5K开始下降,在23.5 K达到零电阻,其超导转变起始温度接近于体相FeSe在常压下的超导转变温度的5倍.抗磁性测量结果也显示出21 K的转变温度,与零电阻温度基本一致.这些研究揭示了SrTiO3(001)衬底上外延单层FeSe薄膜的高温超导电性,同时指出这是一种新的界面超导体.
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