自组织单层氧化硅亚微米球做掩膜的低位错GaN生长

来源 :第13届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lnlsq
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自组织氧化硅微米球作为选择性生长的掩膜来减少GaN外延层中的穿通位错已经得到证明[1].本文使用变尺寸的亚微米球作为选择性生长的掩膜来减少GaN外延层中的穿通位错.首先由MOCVD在C面蓝宝石衬底上外延1.2微米的GaN,并在GaN上旋涂一层聚苯乙烯.
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GaN单晶衬底在Ⅲ-Ⅴ族半导体器件方面,具有重大的意义和广阔的应用前景。为了进一步提高功率器件的性能和可靠性,需要采用极低缺陷密度单晶GaN衬底。目前,GaN体单晶的主要生长方法有HVPE、氨热法、高压熔液法和Na Flux法。其中,Na Flux法是一种近热力学平衡条件下的生长方法,生长速率比氨热法快几十倍,而且生长设备相对简单,利于降低生长成本。但是,Na Flux法直接生长不容易获得单晶。将
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