【摘 要】
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The epitaxial structure of the GaN-based light-emitting devices was grown on sapphire substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system.The phosphor was coated on the GaN-based li
【机 构】
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Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University,
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The epitaxial structure of the GaN-based light-emitting devices was grown on sapphire substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system.The phosphor was coated on the GaN-based light-emitting diodes to work as white light-emitting diodes.
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