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LED产业的高速发展需要降低成本和提高良率来推动,高性能、智能化、规模化的新型设备将更具优势.随着LED性能的不断提升,MOCVD设备面临一系列的挑战,包括更低的设备硬件和维护成本,更少的反应源消耗和工艺生长时间,更高的外延芯片产能和良率等.
MOCVD技术发展的挑战和应对
【摘 要】
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LED产业的高速发展需要降低成本和提高良率来推动,高性能、智能化、规模化的新型设备将更具优势.随着LED性能的不断提升,MOCVD设备面临一系列的挑战,包括更低的设备硬件和维护成本,更少的反应源消耗和工艺生长时间,更高的外延芯片产能和良率等.
【机 构】
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华中科技大学机械科学与工程学院,武汉,430074;广东昭信半导体装备制造有限公司,佛山,528251
【出 处】
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第13届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2014年2期
其他文献
在GaN外延材料中,存在着大量的位错,这些位错对GaN基材料和器件的电学和光学性质有着极大的影响.位错是由于GaN在生长过程中热应力(或其他外力)作用,使GaN中某一部分(沿滑移面)发生滑移,已滑移区与未滑移区的分界线称为位错线.以位错线与其柏格斯矢量的相对取向来区分位错的类型,两者相互垂直叫刃型位错,两者平行的叫螺型位错,否则叫混合位错.
典型的非极性(1(1)00)m面AlGaN/GaN异质结具有布满条形台阶的表/界面显微形貌,条形沿[1120]a轴方向延伸.由于条形台阶内外GaN和AlGaN极化强度的差异,使每个台阶相对的两个侧面上产生极化束缚电荷,从而形成了沿台阶方向延伸的线电荷偶极子.本文对位于m面AlGaN/GaN异质结界面的线电荷偶极子对二维电子气的散射作用进行了理论建模和定量分析.
会议
自组织氧化硅微米球作为选择性生长的掩膜来减少GaN外延层中的穿通位错已经得到证明[1].本文使用变尺寸的亚微米球作为选择性生长的掩膜来减少GaN外延层中的穿通位错.首先由MOCVD在C面蓝宝石衬底上外延1.2微米的GaN,并在GaN上旋涂一层聚苯乙烯.
会议
基于宽禁带氮化镓(GaN)基材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)击穿电压高、频率和效率高、输出功率大、抗辐射、耐高温,是理想的微波、毫米波功率器件.随着GaN基微波功率器件的频率从微波到毫米波并逐渐提高,器件的尺寸不断缩小,目前已达到纳米量级[1-2],强场效应、短沟道效应日益突出.
会议
与传统的GaN基边发射激光器相比,GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)拥有许多优越的性能,不仅可以实现高密度二维集成和更高功率输出,而且还具有低阈值、动态单模工作、圆形对称光斑、与光纤高效耦合、制作成本低等优点.制作低损耗高Q值的谐振腔是实现室温VCSEL激射的重要条件.
近年来,因为晶格失配小、导热好等优势,SiC单晶已经成为生长GaN光电子和微电子器件的普遍选择.虽然SiC与GaN的晶格失配只有3.5％,但是二者的热膨胀系数还是存在不小的差异,通常在GaN外延薄膜中还残留不同程度的应力,导致较高密度的位错产生,影响器件的使用寿命和可靠性.
会议
以Ⅲ族氮化物和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料,用于工作在紫外波段的光探测器件,具有显著的材料性能优势.由于紫外辐射对有机体与无机体都有强烈的影响,因而紫外探测器在工业、农业、医药卫生、以及环境方面有着广泛的应用,典型的民用领域包括:环境监测、食品消毒、引用水净化、火焰探测、电力工业、紫外固化等;此外,高灵敏度紫外探测器在关乎国家安全的国防预警
会议
氮化镓(GaN)基激光器将半导体激光器拓展到紫、蓝、绿波段,作为新型可见光波段激光光源正带动大色域的激光显示、高亮度激光照明、高分辨激光制版印刷、高密度激光存储等领域的技术革新,是国际上的研究热点.我们对GaN激光器的材料生长、结构设计和器件物理进行了系统的研究.
会议
Wide-bandgap GaN-based power transistors and rectifiers are capable of delivering superior performance (e.g.lower on-state loss, higher off-state breakdown, higher switching frequency, higher operatin
会议
1、MOCVD方法生长高质量GaN系薄膜材料这里重点介绍在SiC衬底上MOCVD方法生长GaN薄膜的实验研究.SiC与GaN的晶格失配仅为3％左右,在SiC衬底上生长的GaN质量比蓝宝石衬底的更好,且SiC具有导热、导电性能,是制备大功率半导体照明LED的理想衬底,Cree公司已经宣称开发出效率达276 1m/V的白光LED.
会议