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用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化。分析了软损伤吸杂的作用机构：当热氧化时软损诱生热氧化层错，当外延生长时软损伤诱生半环形位错，硅片表面电活性区的有割杂质被吸收、沉积在这些诱生缺陷上。
软损伤吸杂作用机构的分析
【摘 要】
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用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化。分析了软损伤吸杂的作用机构：当热氧化时软损诱生热氧化层错，当外延生长时软损伤诱生半环形位错，硅片表面
【机 构】
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大学材料系硅材料厂
【出 处】
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1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
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1998年9期
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