自1951年Lovk Horvitz提出用中子嬗变掺杂(NTD)的方法制造高质量的n型硅设想以来，单晶硅嬗变掺杂技术在全世界范围得到广泛的应用，成为制造高品质、高均匀性、高掺杂、高稳定性硅半导体的主要方法。单晶硅嬗变掺杂主要在各类型反应堆上开展，利用堆上单晶硅辐照生产装置，经过合理的辐照工艺流程和掺杂质量控制手段，实现预期掺杂，获得满足要求的硅半导体材料。单晶硅嬗变掺杂辐照生产线主要包括单晶硅匀照系统、单晶硅抓取和转运系统、自给能探测系统、控制系统以及其他附属系统组成。每个系统承担各自的功能，共同实现单晶硅的入堆、均匀辐照、辐照注量测量、出堆工艺流程，配合辐照前的辐照所需注量计算、编组、装罐，以及辐照后的清洗、退火、参数测量工艺流程，最终完成单晶的嬗变掺杂、出厂。