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栅氧击穿的可靠性模型与模型参数
栅氧击穿的可靠性模型与模型参数
来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:soonercome
【摘 要】
:
该文基于与缺陷有关的等效氧化层减薄模型,对N-MOS电容样品进行了实验,从中提取了有关模型参数,即G≈260MV/cm,τ〈,O〉6*10〈’-16〉秒,并进行了讨论。
【作 者】
:
史保华
【机 构】
:
电子科技大学微电子研究所
【出 处】
:
第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
栅氧击穿
可靠性模型
模型参数
氧化层
样品
提取
实验
缺陷
电容
等效
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该文基于与缺陷有关的等效氧化层减薄模型,对N-MOS电容样品进行了实验,从中提取了有关模型参数,即G≈260MV/cm,τ〈,O〉6*10〈’-16〉秒,并进行了讨论。
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