斜坡电压法相关论文
本文研究了氮掺杂、磷掺杂、磷掺杂与Si_3N_4复合介质相结合三种不同栅介质工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性测试及经......
该文用斜坡电压法研究了栅氧化层的击穿特性，通过对Ｉ－Ｖ特性曲线与ＦＮ理论曲线的对比以及对击穿电荷的研究，认为在用斜坡电压法研究栅氧化层......
<正>随着MOS集成电路向深亚微米方向发展,栅氧化层的电场强度越来越高,与时间有关的介质击穿(TDDB)效应成了更突出的可靠性问题.对......
随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量......
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