【摘 要】
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本文报道使用热壁CVD生长系统在4英寸、4°偏角衬底上进行的4H-SiC p-型掺杂与GTO晶闸管器件所需的pnpn材料结构生长.在30 μm/h的平均生长速率条件下,4H-SiC外延层的平均背景掺杂浓度小于5.0×1013 em-3,利用SIMS测试方法,对于不同Al原子浓度的掺杂与控制进行了测试与分析,最低和最高p-型掺杂浓度分别为5.3×1015cm-3和1.5×1019em-3;采用SIM
【机 构】
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东莞市天域半导体科技有限公司,东莞 523000;中国科学院半导体研究所,北京 100083 东莞
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文报道使用热壁CVD生长系统在4英寸、4°偏角衬底上进行的4H-SiC p-型掺杂与GTO晶闸管器件所需的pnpn材料结构生长.在30 μm/h的平均生长速率条件下,4H-SiC外延层的平均背景掺杂浓度小于5.0×1013 em-3,利用SIMS测试方法,对于不同Al原子浓度的掺杂与控制进行了测试与分析,最低和最高p-型掺杂浓度分别为5.3×1015cm-3和1.5×1019em-3;采用SIMS测试方法对GTO晶闸管器件用pnpn材料进行了分析,结合85 μm/h的4H-SiC快速外延生长工艺,可制造kV级至10kV级4H-SiC GTO晶闸管器件材料.
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从芯片形状尺寸和封装方面对取光效率的影响因素做了一系列的仿真和实验，旨在发现其中的规律希望找出进一步找到提高取光效率的方法。首先是从芯片形状角度，设计制作了长方形和三角形、菱形的蓝宝石衬底LED。实验证实与近乎正方的芯片相比三角形发光效率确有5％-10％的提升作用。同时通过lighttools软件的仿真模拟，发现异形芯片在取光效率方面优于方形芯片，主要原因在于有效的侧壁发光。从封装角度，众所周知，
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