【摘 要】
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GaN及其合金化合物(InGaN,AlGaN),由于具有独特的光学性质,因此在半导体照明(如LED)及半导体激光器(LD)上有着重要的应用。然而,目前的GaN材料及器件,主要是利用异质外延的方法生长,因此不可避免的与衬底之间存在晶格失配和热失配,从而导致大量位错的产生(往往高达108-109/cm2)。所以,研究位错对GaN光学性质的影响,对了解GaN发光器件失效的机理,提高其发光效率,具有重要的
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215125 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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GaN及其合金化合物(InGaN,AlGaN),由于具有独特的光学性质,因此在半导体照明(如LED)及半导体激光器(LD)上有着重要的应用。然而,目前的GaN材料及器件,主要是利用异质外延的方法生长,因此不可避免的与衬底之间存在晶格失配和热失配,从而导致大量位错的产生(往往高达108-109/cm2)。所以,研究位错对GaN光学性质的影响,对了解GaN发光器件失效的机理,提高其发光效率,具有重要的意义。由于对单根位错的进行光学分析需要很高的空间分辨率,常规的测试手段往往很难满足要求。我们通过纳米压痕的办法引入位错束,用对一束为错的研究来代替对单根位错的研究,从而降低对空间分辨的要求。同时利用液氦温度(6k)下SEM-CL(扫描电镜-阴极荧光)获得了足够高的空间分辨率和光谱分辨率。
其他文献
合成了一种新型的Ir配合物Bis(2-(3,5-dimethylphenyl)quinoline-C2,N)(acetylacetonato)iridium(Ⅲ)(结构如图DMPQ2Iracac),该配合物与经典的桔红磷光配合物PQ2Iracac相比,在配体的苯环上引入了两个推电子甲基基团,大大改善了配合物红光性能,光谱红移超过20nm且半峰宽减小了12 nm,甲基的引入还增加了空间位阻及分子刚性
宽禁带ZnO作为新型低成本LED材料,成为近十几年来的研究热点。然而,ZnO的p型掺杂瓶颈却成为制约ZnO基实用化LED器件开发的关键问题。本文首先采用自行设计的金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在Si单晶衬底上生长高结晶质量ZnO薄膜,进而研制出ZnO/Si基异质结LED器件。研究表明,n-ZnO/n+-Si异质结与传统的n-ZnO/p+-Si异质结相比具有更好的电致发光特性,呈现出显著的近
本文采用匀胶凝胶法制备了不同厚度的[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)薄膜,研究了不同厚度的PCBM作为阳极修饰层对有机电致发光器件(OLEDs)性能的影响。通过一系列器件光电性能的测试,对相关机理进行了探讨。适宜厚度的PCBM薄膜可以作为有效的阳极修饰层,优化空穴从氧化铟锡(ITO)阳极到空穴传输层的有效注入,使得有机电致发光器件获得了更低的驱动电压及更高的功率效率。同时,制备了"纯空
采用一种低成本的超声喷雾热分解方法,以醋酸锌和硝酸铟水溶液为前驱体,在单晶GaAs(100)衬底上制备出ZnO以及In掺杂ZnO的多晶薄膜,并进一步研制出ZnO/GaAs基异质结LED器件,着重探讨了In掺杂对ZnO薄膜结构、光电性质以及ZnO/GaAs异质结电致发光行为的影响机制.研究发现,随着In元素掺入,ZnO薄膜的(002)晶体取向性变弱,同时n型电导显著增强,表明In元素已掺杂进入ZnO
本文利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光(PL)光谱研究了利用MOCVD在Ge衬底上生长的GaInP外延层的结构和光学性质.HRTEM图像结果表明没有任何结构缺陷存在.实验中发现,相对于未掺杂结构,Si掺杂导致了GaInP结构从有序到无序的转变,并进而带来了带内和近带边发光特性的显著差异.在掺杂材料中,同时观察到了GaInP有序和无序结构的发光,而在未掺杂材料中只观察到了有序结构的发光.我
许多研究结果表明,ZnO同质p-n结的电致发光来自p型ZnO层的缺陷发光,且波长都是在可见波段,而不是紫外波段。实现紫外发光的关键是找到合适的垒层材料,制备量子阱型或p-i-n结型发光二极管。近年来,MgZnO合金被认为是理想的垒层材料。但同ZnO一样,p型MgZnO的制备一直非常困难,成为影响MgZnO在紫外发光二极管中应用的瓶颈。因此,研究Mg对MgZnO本征缺陷和受主掺杂行为的影响规律和机制
本文采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和N掺杂源,利用等离子辅助分子束外延(P-MBE)技术,在c-面蓝宝石衬底上,通过调制Zn源温度外延生长了氮掺杂的氧化锌合金薄膜(ZnO：N).通过拉曼光谱(Raman),光致发光谱(PL),X射线光电谱(XPS)及霍尔测试仪对薄膜的光电特性进行表征.结果表明,ZnO：N的光电特性随着Zn源温度的变化而发生较明显的变化.随着Zn源温度的增加,Raman谱中
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ZnO,作为短波长光电器件的优选材料,由于氧空位、锌填隙或者生长过程中引入的H等原因呈现n型电导.要实现ZnO的P型转变,理论上可以通过掺杂I,V族元素来实现.Ag作为IB族元素,与IA族一样,可以通过Ag替位Zn形成受主.同时Ag离子半径较大,可有效避免形成填隙原子成为施主缺陷.就此本文以AgNO3作为掺杂源并利用电化学沉积方法制备了Ag掺杂的ZnO纳米线.采用SEM、XRD和PL对样品的形貌,
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在GaN膜上外延生长了厚度为120nm的In0.24Ga0.76N薄膜,并用自组织Ni颗粒作为掩膜结合电感耦合等离子体刻蚀(ICP)形成InGaN/GaN纳米柱.对于薄膜样品和纳米柱样品,在7～200K的测试温区内,InGaN层光致发光(PL)波长与温度的关系均表现出典型的"S"型变化.与薄膜相比,10K下纳米柱阵列InGaN层的发光强度增加