【摘 要】
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利用相场理论,分别用有限元法与有限差分法来计算弹性能与静电能,模拟了不同应变,退极化场,外加电场下FeFET的畴结构及其演变以及金属-铁电-绝缘层-半导体(MFIS)结构中铁电层的电滞回线.在上述模型的基础上,结合标准MOSFET的基本器件方程,模拟了应变,退极化场对MFIS结构的FeFET的C-V特性,输出特性等电学性能的影响.进而分析了不同畴结构对FeFET电学性能的影响.
【机 构】
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湘潭大学材料与光电物理学院/低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湖南湘潭411105
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利用相场理论,分别用有限元法与有限差分法来计算弹性能与静电能,模拟了不同应变,退极化场,外加电场下FeFET的畴结构及其演变以及金属-铁电-绝缘层-半导体(MFIS)结构中铁电层的电滞回线.在上述模型的基础上,结合标准MOSFET的基本器件方程,模拟了应变,退极化场对MFIS结构的FeFET的C-V特性,输出特性等电学性能的影响.进而分析了不同畴结构对FeFET电学性能的影响.
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