【摘 要】
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制作了GaN基多量子阱激光器,实现了室温连续激射。以(0001)面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD))设备上生长激光器外延片,制作了条宽2.5μm、腔长800μm的脊形波导激光器管芯,测试了激光器在室温下的直流电学和光学特性,21℃直流连续激射的阈值电流115mA,阈值电压10.5V。阈值电流密度5.75KA/cm,注入1.3倍阈值电流下输出功率9.6mW,斜率效率0.22W/A
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所集
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制作了GaN基多量子阱激光器,实现了室温连续激射。以(0001)面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD))设备上生长激光器外延片,制作了条宽2.5μm、腔长800μm的脊形波导激光器管芯,测试了激光器在室温下的直流电学和光学特性,21℃直流连续激射的阈值电流115mA,阈值电压10.5V。阈值电流密度5.75KA/cm<-2>,注入1.3倍阈值电流下输出功率9.6mW,斜率效率0.22W/A,激射波长在402.8-418nm之间;随注入电流增大,激射波长显著红移,并出现多个激射模式,这一现象与热积累引起器件温度升高导致的增益谱展宽和红移有关。
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