【摘 要】
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利用射频共溅射的方法在不同的衬底温度下制备了一系列Co(MgF)颗粒膜,系统的研究了衬底温度对薄膜的微结构、电性和隧道磁电阻效应的影响.发现随衬底温度增加,膜中颗粒逐渐长
【机 构】
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兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室(兰州)
【出 处】
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第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议
论文部分内容阅读
利用射频共溅射的方法在不同的衬底温度下制备了一系列Co<,38>(MgF<,2>)<,62>颗粒膜,系统的研究了衬底温度对薄膜的微结构、电性和隧道磁电阻效应的影响.发现随衬底温度增加,膜中颗粒逐渐长大,颗粒间距也逐渐增大.薄膜的磁电阻值随衬底温度从573K降低首先增加,在室温下制备的样品中磁电阻值达到最大-8﹪,而当衬底温度降低到液氮温度时,其TMR值反而减小.表明只有合适的衬底温度才能有较大的TMR值,并不是衬底温度越低越好.
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