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对程控系统典型组件80C196KC20单片机的不同脉宽瞬时电离辐射效应进行研究,分析了不同脉宽辐射环境下典型组件的闭锁阈值和效应差异,对损伤现象和规律以及损伤机理进行研究。为后续单片机抗辐射加固设计和弹上应用提供技术支持。
典型计算机组件不同脉宽瞬时辐射效应研究
【摘 要】
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对程控系统典型组件80C196KC20单片机的不同脉宽瞬时电离辐射效应进行研究,分析了不同脉宽辐射环境下典型组件的闭锁阈值和效应差异,对损伤现象和规律以及损伤机理进行研究。
【机 构】
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北京航天长征飞行器研究所,北京9200信箱76分箱6号,100076
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2007年期
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