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在高温和大栅电流下，我们对TiAl栅和TiPtAu栅MESFETs性能退化进行了比较研究。
TiAl和TiPtAu栅GaAs MESFET可靠性实验研究
【摘 要】
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在高温和大栅电流下，我们对TiAl栅和TiPtAu栅MESFETs性能退化进行了比较研究。
【机 构】
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北京工业大学电子工程系(北京)
【出 处】
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第八届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
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1999年期
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