栅电流相关论文
提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型 .在该模型的基础上 ,研究了采用不同高介电......
将光纤布拉格光栅(FBG)粘贴在超磁致伸缩材料(GMM)上，两端加永磁体材料建立偏置磁场以确定系统静态磁场工作点，最后采用环氧树脂......
软击穿后的MOS器件的微分电导谱已用于研究软击穿后的超薄SiO2的电导性质，结果表明：软击穿后的超薄SiO2的栅电流－栅电压特性的微分电......
本文用电子速度饱和概念和比例差值方法(PDO)研究了超薄Si02在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明......
在高温和大栅电流下，我们对TiAl栅和TiPtAu栅MESFETs性能退化进行了比较研究。...
整篇论文是建立在横向电场和纵向电场的二维解析模型的基础上的.在电场建模过程中,认真考虑了电场的横向分量和纵向分量的相互调制......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文重点分析了应变Si Ge PMOSFET器件热载流子形成的机制,建立了栅电流模型,该模型增加了量子阱和平均自由程对电流的影响,通过仿......
运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流，该方法特别适用于高k栅介质纳米MOS器件。还能用于多层高k栅介质纳......
采用Schroedinger-Poisson方程自洽全量子求解法研究了MOS器件不同介质材料和栅结构栅电流，该模型对栅电流中的三维电流成分用行波......
对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构A1GaN／GaNHEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究．实验表明，凹栅槽结构A1GaN／GaNHEMTs肖特基栅电流......
运用一种全量子模型，研究高k栅介质纳米MOSFET（场效应管）栅电流，特别用于各种材料高k栅介质和高k叠栅介质纳米MOSFET。使用该方法，研究......
提出了包括有限势垒,高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型，在该模型的基础上，研究了采用不同高介电常......
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅极漏电,提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体（MOS）高电子迁移率晶体管结构。该结构采......
介绍了一种纳米MOSFET（场效应管）栅电流的统一模型,该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层......
介绍了一种纳米MOSFET（场效应管）栅电流和电容的统一模型，该模型基于Schrfidinger-Poisson方程自洽全量子数值解，特别适用于高k栅介质......
分析和模拟了SiC JFET在高温下出现的栅电流。模拟结果反映出在温度高于700K以后栅电流对SiC JFET的影响将越来越显著,在此基础上......
随着工艺制程的不断进展,浅沟槽隔离技术(STI)成为深亚微米后的主流隔离技术。文章通过测试分析不同栅到有源区距离(SA)晶体管(MOS......
为了进一步提高半导体器件的性能,除了改进器件结构外,各种新材料与新技术被不断地应用到器件的设计制造中。由于应变Si材料载流子......
文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si 纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数......
研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软......
随着微电子技术的发展,晶体管工艺尺寸逐渐缩小、集成度不断提高,较好地满足了用户对IC成本和性能的需求。然而,集成度的提高却带......
为定量研究在PHEMT栅电流退化过程中,不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例,本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓......
