论文部分内容阅读
通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电流密度为26KA/cm2.峰谷电流比1.56,与模拟结果进行了比较与分析,为进一步改善器件性能奠定了基础。
InP基RTD制备与特性分析
【摘 要】
：
通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电
【机 构】
：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室,上海 200050 中国科学院研究生院,北京 100049
【出 处】
：
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2010年期
其他文献
为全面了解我省集中式供水卫生状况和水质质量，预防介水传染病的发生和流行，确保人民的饮水卫生与安全，我们于１９９４年７～９月，重点对全省县级以上的集中式供水单位、大型企业自备供水站和铁
日本妇科专家松山的研究报告认为,所有妇女病有60%是因穿着不适合的紧身衫裤造成的.裸睡不但使人感到舒适.连妇女常见的生理性痛经也会逐渐减少,日本扎幌的五轮妇产小儿科医
使用高分辨X射线衍射(HRXRD)的测量,研究了室温下5.3MeVKr离子辐照的InGaN/GaN 异质结。Kr离子的辐照剂量范围为1011～1013cm-2。实验结果表明当辐照剂量达到1×1013cm-2时,InG
新赛季的欧洲顶级足球联赛开始已经一个多月了.新赛季中,新球鞋、新装备层出不穷.该文将着眼于欧洲的四大联赛,为大家分析足球鞋的流行趋势.现在就请跟着笔者来看一看欧洲赛
本文利用高分辨x射线衍射,光致发光(PL)谱技术研究了10MeV不同剂量(5×1016e/cm2和5×1017e/cm2)电子辐照对GaN光学性能的影响。实验结果表明,辐照后样品的带边峰显著下降,辐
本文利用X射线光电子能谱技术(XPS)对氮等离子体处理前后的SiO2/4HSiC(0001)界面样品进行分析,结果显示,氮钝化过程中,N与SiC禁带中能级位于Ec附近的siOxCyv和碳团簇缺陷发生
会议
本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输
会议
采用EcR微波氢等离子体技术处理n型4H-SiC表面,然后淀积金属Pt制作肖特基接触。I—V特性测试分析结果表明,经过氢等离子体表面清洗后,Pt/4H—SiC接触的整流特性增强,肖特基势
会议