基于AlxZn1-xO紫外光电性质的研究

来源 :第五届届全国氧化锌学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bohedan

【摘要】

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　　作为一种有潜力的新型光电材料受到普遍关注，其中ZnO基三元化合物半导体材料对于带隙的调制极为重要，如MgxZn1-xO合金具有与纯ZnO相近的优异的光学和电学性能，并实现了带隙

【作者】

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邓宏韦敏邓雪然

【机构】

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电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

【出处】

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第五届届全国氧化锌学术会议

【发表日期】

：

2011年11期

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　　作为一种有潜力的新型光电材料受到普遍关注，其中ZnO基三元化合物半导体材料对于带隙的调制极为重要，如MgxZn1-xO合金具有与纯ZnO相近的优异的光学和电学性能，并实现了带隙在3.3-7.8eV之间的连续可调，可用来制备具优异性能的紫外光探测器.与Mgxzn1-xO合金相类似，有研究表明ZnO通过掺入A1会引起3d电子结合能的变化，从而导致薄膜禁带宽度的增大，从而实现光学禁带宽度的调制.

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