【摘 要】
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自旋阀型GMR传感器在计算机读出磁头、磁场传感器、特别是在生物探测领域的应用，使GMR传感器的研究得到人们普遍关注。目前与MEMS相关的仿真设计软件如ANSYS、Conventor、Intellisense等都不能对GMR传感器的特性和设计进行仿真计算。本文重点介绍了单畴模型在自旋阀GMR传感器设计中的应用。并对实际的全桥GMR传感器芯片进行测试，与单畴模型的理论计算结果相比较。
【机 构】
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重庆大学光电技术与系统教育部重点实验室，重庆市，邮编 400030 重庆大学微系统研究中心，重庆市，邮编 400030
【出 处】
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中国微米纳米技术学会第十一届学术年会
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自旋阀型GMR传感器在计算机读出磁头、磁场传感器、特别是在生物探测领域的应用，使GMR传感器的研究得到人们普遍关注。目前与MEMS相关的仿真设计软件如ANSYS、Conventor、Intellisense等都不能对GMR传感器的特性和设计进行仿真计算。本文重点介绍了单畴模型在自旋阀GMR传感器设计中的应用。并对实际的全桥GMR传感器芯片进行测试，与单畴模型的理论计算结果相比较。
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